La tendencia de desarrollo tecnológico de los materiales objetivo está estrechamente relacionada con la tendencia de desarrollo de la tecnología de película delgada en las industrias de aplicaciones aguas abajo. A medida que la industria de la aplicación mejora su tecnología en productos o componentes de películas delgadas, la tecnología objetivo también debería cambiar en consecuencia.
Titanium Objetivos de recubrimiento de alta purezason las fuentes de pulverización que forman varias películas delgadas funcionales en sustratos que utilizan pulverización de magnetrón, múltiples - recubrimiento de iones u otros sistemas de recubrimiento en condiciones de proceso apropiadas. En pocas palabras, un objetivo es el material objetivo para las partículas enérgicas de velocidad -} para bombardear. En las armas láser de energía de alta -, láseres de densidades de potencia variables, formas de onda de salida y longitudes de onda interactúan con diferentes materiales objetivo, lo que resulta en diferentes daños y efectos destructivos. Por ejemplo, el magnetrón evaporativo se deposita las películas de calentamiento y evaporación de películas de aluminio. Al reemplazar los materiales objetivo (como el aluminio, el cobre, el acero inoxidable, el titanio y el níquel), se pueden producir diferentes sistemas de películas, incluidas las películas de aleación resistentes a ultra -} duras -}
Hoy, estudiaremos la definición y las aplicaciones de los objetivos de titanio:
1) Principio de pulverización de magnetrón:
Se aplica un campo magnético y eléctrico perpendicular entre el objetivo (cátodo) y el ánodo. Una cámara de alta vacío se llena con el gas inerte deseado (generalmente AR). Un imán permanente genera un campo magnético de 250 - 350 Gauss en la superficie objetivo, formando un campo electromagnético ortogonal con el campo eléctrico de voltaje alto -}. Bajo la influencia del campo eléctrico, el gas AR se ioniza en iones y electrones positivos. Un cierto voltaje negativo de alto voltaje se aplica al objetivo. El campo magnético y el gas de trabajo aumentan la probabilidad de ionización de los electrones emitidos desde el objetivo, formando un alto plasma de densidad - cerca del cátodo. Los AR iones se aceleran hacia la superficie objetivo por la fuerza Lorentz, bombardeándola a alta velocidad. Esto hace que los átomos pulverizados en el objetivo se separen de la superficie objetivo con alta energía cinética, siguiendo el principio de transferencia de impulso, y vuelan hacia el sustrato para formar una película. La pulverización del magnetrón generalmente se divide en dos tipos: pulverización de DC y pulverización de RF. El equipo de pulverización DC es más simple en principio y ofrece velocidades de pulverización más rápidas para los metales. La pulverización por radiofrecuencia tiene una gama más amplia de aplicaciones. Puede pulverizar no solo materiales conductores sino también materiales no conductores. También puede realizar una pulverización reactiva para preparar materiales compuestos como óxidos, nitruros y carburos. Si se incrementa la frecuencia de la radiofrecuencia, se convierte en pulverización de plasma de microondas. Resonancia de ciclotrón de electrones (ECR) La pulverización por plasma de microondas se usa comúnmente hoy en día.
2) Objetivo de pulverización de magnetrón
Types: Metal Sputtering Coating Targets, Alloy Sputtering Coating Targets, Ceramic Sputtering Coating Targets, Boride Ceramic Sputtering Targets, Carbide Ceramic Sputtering Targets, Fluoride Ceramic Sputtering Targets, Nitride Ceramic Sputtering Targets, Oxide Ceramic Sputtering Targets, Selenide Ceramic Sputtering Targets, Silicide Ceramic Sputtering Targets, Sulfide Ceramic Sputtering Targets, Objetivos de pulverización de cerámica de telururo, otros objetivos de cerámica, cromo - objetivos de cerámica de monóxido de silicio dopado (CR - SIO), objetivos de fosfuro de indio (INP), objetivos de arsenuro de plomo (PBA), objetivos de arsenido de indio (INAS).
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